※本製品はアドバンストエクィップメントMP㈱との業務提携装置となります。

ISAC Reaserch社のSiウェハー、ガラス基板、紛体粒子などの様々な物質に
薄膜を形成することのできる多様な装置を紹介いたします。

●半導体、R&D向け、太陽電池、有機EL等のフレキシブルエレクトロニクス、粉体粒子


●R&D向け半導体、太陽電池、有機EL等のフレキシブルエレクトロニクス、粉体粒子


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ナノレベル薄膜、低温成膜、複合材料膜、多層膜などの開発にご利用ください。

ｉＯＶ e100は様々な用途・サイズの基板に高品位なALD薄膜形成を可能とし、新しいALDプロセスを効率的に開発できるように設計されています。
多様な薄膜材料・基板とプロセスの組み合わせに配慮したR&D専用機です。
シンプルな設計により高機能でメンテナンスが容易な装置構造となっています。



　●コンパクトサイズ
　●ラテラルフローリアクター
　●デュアルラインシャワーヘッド
　●液体ソース３種対応
　●低コスト
　●プラズマALDも対応可能


　●ALD　酸化膜
　●ALD　High-k膜
　●ALD　メタル膜
　●ALD　多層膜





　●ガスライン追加
　●液体ソースラック緊急封止機構
　●排ガストラップ

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大型CIGS薄膜太陽電池やその他の大型ガラス基板の量産にご利用ください。

ｉＯＶ　Ｍ５０００は薄膜太陽電池（ＣＩＧＳ：Ｃｕ Ｉｎ Ga Ｓｅ）対応の
バッチ型大型基板ＡＬＤプロセス装置です。
量産向けにハイスループット（１２００×１０００ｍｍ基板：１００枚/hr）を達成し、生産コスト（CoO）の低減に貢献する装置となっています。


　●大型基板対応ALD
　●カセットバッチ処理タイプ
　●高スループット：１００枚/hr
　●大幅な生産コスト（CoO）を低減


　●CIGS太陽電池のZn（O,S）バッファー層
　●OLED（有機ELディスプレイ）封止





　●ストッカー用基板搬送ロボット

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●ALD装置とはAtomic Layer Depositionの頭文字からALDと呼ばれています。
　日本語に訳すと原子層堆積装置となります。
　名前の通り、１原子層ずつをウェハーやガラス基板などに堆積してゆく装置になります。


●CVDの技術は半導体の製造に使われている成膜方法で、
　ALDはCVD(Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長)の一部と言われていますが、
　ALDはCVDと異なる技術で成膜を行います。
　CVDは多種のガスを一度にチャンバーや石英チューブなどに導入し、熱やRFプラズマなどの
　反応でＳｉＯやSｉ３Ｎ４などの膜をウェハー上に連続で成膜します。
　ＡＬＤは真空チャンバー内に搬送されたウェハー等の基板上に原料化合物をモノレイヤー毎に
　表面に吸着、反応による成膜を行い、N2パージによる副生成物(余剰分子)を取り除き、
　このサイクルを繰り返す事によって、原子層を一層ずつ積み上げます。
　ＣＶＤの成膜時の温度は４００℃以上、ＡＬＤは４００℃以下の温度で成膜する為、
　ＡＬＤは熱ストレスの無い成膜が可能となります。


酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の成膜
※基板表面が持つ水酸基にガスが反応し、自己停止と吸着を繰り返す。

１．H2O導入　
２．ウェハー表面にOH基が吸着　
３．N2でチャンバーパージ　
４．TMA(トリメチルアルミ)導入
５．TMAはウェハー表面のOH基のみと反応しAｌOとCH3を形成
６．N2パージで余ったTMAとCH4は排気パージ
７．H2O導入
８．H2Oは表面のCH3基のみと反応しOH基をAl上に形成
９．N2パージで余ったH2OとCH4は排気パージ
１０．上記４～９を繰り返し